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电子元器件详细资料 » IC[18804] » FDC658P
型号:FDC658P类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6描述:MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C50 毫欧 @ 4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds750pF @ 15V
功率_最大800mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT
包装带卷 (TR)

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